杨德仁院士：铸锭单晶兼具多、单晶双重优点 或将大规模应用

　　（记者 陈其珏）在近日举行的第十四届CSPV大会上，中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁详细阐述了铸锭单晶的前世今生。他表示，“铸锭单晶是【、】硅材料重要的发展方向，希望铸锭单晶技术在今后1-2年重新开始大规模应用”。

　　在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中，杨德仁表示，十余年来，多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应，是市场政策、技术发展共同作用的结果，两种技术路线将会共存，谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶，利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅，把两种技术的优点结合起来，既有低成本，低能耗，也有高质量、高效率。

　　“铸锭单晶技术在过去十年及最近得到了非常大的关注。”杨德仁表示，铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀，比多晶增加1%以上的转换效率，又保持了多晶的低光衰优势，光衰仅仅是直拉单晶的20%-30%。

　　他指出，铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战，其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法，‘以毒攻毒’，可以有效降低位错。我们希望这样的技术在今后1-2年重新开始大规模应用。”杨德仁说。

　　铸锭单晶在2010年左右规模量产。近几年来，铸锭单晶技术未能大规模应用，除了高效多晶等新技术的快速发展占领市场外，成本问题也一直是影响其市场突破的阻力。