近期，“新基建”成为热议话题。国家发改委明确了新型基础设施的范围，这类设施是以技术创新为驱动，面向高质量发展需求，提供数字转型、智能升级等服务的基础设施体系。其中，以5G、物联网、工业互联网等为代表的领域是“新基建”的主要阵地。
在这些领域中，第三代半导体技术以碳化硅和氮化镓为代表正发挥着日益重要的作用。北京大学宽禁带半导体研究中心的沈波教授指出，第三代半导体具备高频、高效、高功率等优越性能，是支撑众多产业自主创新发展和转型升级的核心材料和电子元器件。
相比于传统的硅基器件，第三代半导体功率电子器件能够使电子和电器设备更加高效、小型化、智能化。例如，碳化硅基功率电子器件及模块在智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等领域有着广泛的应用前景。而氮化镓基功率电子器件及模块则在新一代通用电源、移动通信基站、物联网终端设备的电源等领域展现出巨大的技术优势和市场空间。
第三代半导体射频电子器件在民用和领域都已经实现了规模化应用。特别是在5G移动通信基站建设中，氮化镓射频电子器件和模块发挥着不可替代的作用。随着全球5G建设的加速推进，对氮化镓射频电子器件的需求将呈现快速增长趋势。
尽管全球半导体产业在2019年整体处于低迷期，但第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现出高速增长的态势。龙头企业正在加强在第三代半导体领域的布局，而我国的第三代半导体产业虽然处于起步阶段，但已形成完整的产业链。我们仍需突破核心关键技术，并关注工程化应用问题。
“新基建”的提速为我国第三代半导体产业发展提供了宝贵机遇。终端应用企业正在调整供应链，扶持国内企业，这为产业链上游产品提供了验证机会。根据最近发布的《第三代半导体产业技术发展报告（2019年）》，未来五年，我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模的复合增长率将超过40%。
面对这一机遇，专家建议我国第三代半导体产业应脚踏实地，关注协调、错位发展。在大力支持产业发展的还需注意市场变化，不断提升产品性能和竞争力，促进第三代半导体产业的良性、可持续发展。当前的经济下行趋势对半导体产业带来挑战，但仍应深挖创新性应用，拓展存量市场，把握好产业发展的节奏。